Аналіз електричних та магнітних властивостей напівпровідникових кристалів типу InSe, інтеркальованих металами, з огляду на їх військове застосування

Автор(и)

  • B. O. Seredyuk Національна академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, Львів, кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри електромеханіки та електроніки, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.33577/2312-4458.16.2017.21-24

Ключові слова:

напівпровідник, імпеданс, магнітне поле, наноструктури

Анотація

У статті виконаний аналіз перспектив застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу як на сильний ковалентний зв'язок всередині шару, так і на слабкий Ван-дер-Ваальсовий зв'язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано діаграми Найквиста для кристалу In4Se3 з домішками хрому, міді та германію при різних температурах – від кімнатної до температури рідкого азоту. Обґрунтовано вплив домішки металу та її концентрації на електричні та магнітні властивості напівпровідникових кристалів типу InSe.

Посилання

Dalichaouch Y., Czipott, P., Perry A. Magnetic sensors for battlefield applications / Y. Dalichaouch, P. Czipott, A. Perry // Proc. SPIE – 2001. – Vol. 4393. – P. 129–134.

Lenz J., Edelstein, A.S. Magnetic Sensors and Their applications. / J. Lenz, A.S. Edelstein // IEEE Sens. J. – 2006. – № 6. – P. 631–649.

Bandyopadhyay S., Cahay M. Proposal for a spintronic femto-Tesla magnetic field sensor / S. Bandyopadhyay, M. Cahay // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – 2005. – № 1-2. – P. 98–103.

Phan M.H., Peng H.X. Giant magnetoimpedance materials: Fundamentals and applications / M.H. Phan, H.X. Peng // Progress in Materials Science. – 2008. – Vol. 53. – P. 323–420.

Zakharchenya B.P. Integrating magnetism into semiconductor electronics / B.P. Zakharchenya // УФН. – 2005. – Vol. 175, №11. – P. 629–675. (in ukrainian).

Titov A.N. Phase diagrams of the intercalate materials with a polar type of carriers localization / А.N. Titov, A.V. Dolgoshein // ФТТ. – 2000. – Vol.42, №3. – P. 425–427. (in russian).

Shabatura Yu. V. The prospects of military applications of magnetic sensors base on GMR effect in NixInSe / Yu. V. Shabatura, B. О. Seredyuk, S. V. Korolko, V.L. Fomenko // Millitary-technical book. – 2012. –Vol. 2,–№7. – P. 80–84 (in ukrainian).

Seredyuk B. O. Analysis of electrical and magnetic properties of semiconductor crystals of inse type intercalated by metals due to their military applications / B. O. Seredyuk // millitary-technical book. – 2016. –vol. 14 – p. 50–53 (in ukrainian).

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-05-04

Як цитувати

Seredyuk, B. O. (2017). Аналіз електричних та магнітних властивостей напівпровідникових кристалів типу InSe, інтеркальованих металами, з огляду на їх військове застосування. Військово-технічний збірник, (16), 21–24. https://doi.org/10.33577/2312-4458.16.2017.21-24

Номер

Розділ

РОЗРОБЛЕННЯ ТА МОДЕРНІЗАЦІЯ ОВТ