DOI: https://doi.org/10.33577/2312-4458.14.2016.70-74

Нейтральні дефекти МПЕ плівок CdHgTe

O. I. Fitsych

Анотація


Проведені електрофізичні і оптичні дослідження дефектної структури плівок CdHgTe, вирощених молекулярно-пучковою епітаксією (МПЕ). Показано, що особливістю даних плівок є наявність нейтральних дефектів, що формуються на стадії росту і властивих матеріалу, вирощеному саме методом МЛЕ. Припускається, що цими нейтральними дефектами є нанокомплекси Тe, які були виявлені за допомогою іонного травлення. При іонному травленні вони активуються міжвузловою ртуттю і формують донорні центри з концентрацією ~1017 см-3, що дає можливість виявляти ці дефекти за допомогою вимірювань електричних параметрів матеріалу. При легуванні CdHgTe миш'яком з високотемпературним крекінгом присутній в потоці миш'яку димер As2 блокує нанокомплекс Те з формуванням донорних комплексів As2Te3. Результати електрофізичних досліджень порівнюються з даними досліджень мікрораманівської спектроскопії.

Ключові слова


CdHgTe; нейтральні дефекти; іонне травлення; мікрораманівська спектроскопія

Повний текст:

PDF

Посилання


Варавин В.С. Донорные дефекты в эпитаксиаль-ных слоях HgCdTe, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией / С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров // Автометрия. – 2001. – № 3. – С. 9–19.

Izhnin I.I. Conductivity type conversion in ion-milled p-Hg1-xCdxTe: As heterostructures grown by molecular beam epitaxy / I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev, M. Pociask // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 91, No. 13. – P. 132106-1–132106-3.

Pociask M. Donor doping of HgCdTe for LWIR and MWIR structures fabricated with ion milling / M. Pociask, I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S Varavin., K.D. Mynbaev // Semicond. Sci. Technol. – 2009. – Vol. 24, No. 2. – P. 025031.

Pociask M. Ion milling-induced conductivity-type conversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers / M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.S Varavin., N.N. Mikhailov, N.H. Talipov, K.D. Mynbaev, A.V. Voitsekhovkii // Semicond. Sci. Technol. – 2010. – Vol. 25, No. 2. – P. 065012.

Izhnin I.I. Defect structure of HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on Si substrates / I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, M.M. Vakiv, Y.M. Stakhira, O.I. Fitsych, M.V. Yakushev, A.V. Sorochkin, I.V. Sabinina, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, K.D. Mynbaev // Semicond. Sci. Technol. – 2012. – Vol. 27, No. 3. – P. 035001.

Izhnin I.I. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe filma with activated and unactivated arsenic / I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, A.V. Voitsekhovskii, E. Szeregii // J. Appl. Phys. – 2014. – Vol. 115, No. 16. – P. 163501.

Ижнин И.И. Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев // ФТП. – 2011. – Т. 45, В. 9. – С. 1166–1170.

Belogorokhov A.I. Raman scattering in CdHgTe epitaxiallayers grown on CdZnTe substrates / A.I. Belogorokhov, N.A. Smirnova, I.A. Denisov, L.I. Belogorokhova, B.N. Levovnovich // Phys. Stat. Sol. C. – 2010. – Vol. 7, No. 6. – Р. 1624–1626.

Сидоров Г.Ю. Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии / Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Икусов Д.Г., Дворецкий С.А. // ФТП. – 2008. – Т. 42, В. 6. – С. 668–671.

Богобоящий В.В. О физическом смысле огибающей спектров подвижности / В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин // Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. – 2003. – №. 2.– С. 10–13.

Tverjanovich A. Raman spectroscopy of glasses in the As–Te system / A. Tverjanovich, K. Rodionov, E. Bychkov // J. Sol. State Chem. – 2012. – Vol. 190. – P. 271–276.

Belogorokhov A.I. The investigation of structural perfection of CdxHg1−xTe/CdZnTe epitaxial layers by the Raman scattering method / A.I. Belogorokhov, I.A. Denisov, N.A. Smirnova, L.I. Belogorokhova // Semiconductors. – 2004. – Vol. 38, No. 1. – P. 82–90.




Copyright (c) 2019 O. I. Fitsych

ISSN: 2312-4458 © Національна академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, 2009-2019.