Аналіз електричних та магнітних властивостей шаруватих напівпровідникових кристалів типу А3В6 інтеркальованих металами з огляду на їх військове застосування

B. O. Seredyuk; F. O. Ivashchyshyn; B. Y. Kulyk

doi:10.33577/2312-4458.19.2018.39-43

Автор(и)

B. O. Seredyuk Національна академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, Львів, кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри електромеханіки та електроніки, Ukraine
F. O. Ivashchyshyn Національний університет «Львівська політехніка», Львів, кандидат технічних наук, молодший науковий співробітник кафедри прикладної фізики і наноматеріалознавства, Ukraine
B. Y. Kulyk Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, кандидат фізико-математичних наук, доцент кафедри фізики твердого тіла, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.33577/2312-4458.19.2018.39-43

Ключові слова:

шаруватий напівпровідник, імпеданс, діаграми Найквіста, інтеркаляція

Анотація

У статті виконаний аналіз перспектив застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу, як на сильний ковалентний зв'язок всередині шару, так і на слабкий Ван-дер-Ваальсовий зв'язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано діаграми Найквиста для кристалу InSe, з домішками нікелю при різних температурах від кімнатної до температури рідкого азоту. Топологічні знімки поверхонь InSe, використовуючи методику атомно силової спектроскопії, підтверджують його шарувату структуру.

Посилання

P. Ripka. Security applications of magnetic sensors. Journal of Physics Conference Series 06/2013; 450(1):2001-. DOI:10.1088/1742-6596/450/1/012001.

Ripka P, Janosek M: Advances in Magnetic Field Sensors, IEEE Sens. J. 10 (2010) Issue: 6, 1108-1116.

Y. Oyama, T. Tanabe, F. Sato, A. Kenmochi, J. Nishizawa, T. Sasaki, K. Suto. J. Cryst. Grow. 310, 1923 (2008).

Shabatura Yu. V. The prospects of military applications of magnetic sensors base on GMR effect in NixInSe / Yu. V. Shabatura, B. О. Seredyuk, S. V. Korolko, V.L. Fomenko // Millitary-technical book. – 2012. –Vol. 2,–№7. – P. 80–84 (in ukrainian).

Seredyuk B. O. A study of the kinetic properties of nanostructured intercalates of AgxIn4Se3 aimed at the creation of photodetectors / B. O. Seredyuk // millitary-technical book. - 2014. – № 2(11). – P. 52-55.

K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.

Garry W. Mudd, Simon A. Svatek Tuning the Bandgap of Exfoliated InSe Nanosheets by Quantum Confi nement Adv. Mater. 2013, 25, 5714–5718.

Seredyuk B. O. Analysis of electrical and magnetic properties of semiconductor crystals of Inse type intercalated by metals due to their military applications / B. O. Seredyuk // millitary-technical book. – 2016. – vol. 14 – p. 50–53 (in ukrainian).

Seredyuk B. O. Analysis of electrical and magnetic properties of semiconductor crystals of inse type intercalated by metals due to their military applications / B. O. Seredyuk // millitary-technical book. - 2017. - № 16. - P. 21-24.

Dalichaouch Y., Czipott, P., Perry A. Magnetic sensors for battlefield applications / Y. Dalichaouch, P. Czipott, A. Perry // Proc. SPIE – 2001. – Vol. 4393. – P. 129–134.

Lenz J., Edelstein, A.S. Magnetic Sensors and Their applications. / J. Lenz, A.S. Edelstein // IEEE Sens. J. – 2006. – № 6. – P. 631–649.

Phan M.H., Peng H.X. Giant magnetoimpedance materials: Fundamentals and applications / M.H. Phan, H.X. Peng // Progress in Materials Science. – 2008. – Vol. 53. – P. 323–420.

Nikitin S.A. 2004 soros journ.education 8, № 2, 92.

N. T. Pokladok, I. I. Grygorchak, B. A. Lukiyanets, D. I. Popovych, R. I. Ripetskyy peculiarites of magnetoresistance in single crystals inse and gase, laser intercalated by chrome optoco-electronni informaciyno-energetychni tehnologii. 2008. № 1, – p. 114–118.

Zakharchenya B.P. Integrating magnetism into semiconductor electronics / B.P. Zakharchenya // Ukrainian Physical Journal. – 2005. – Vol. 175, №11. – P. 629–675. (in ukrainian).

Titov A.N. Phase diagrams of the intercalate materials with a polar type of carriers localization / А.N. Titov, A.V. Dolgoshein // Solid State Physics. – 2000. – Vol.42, №3. – P. 425–427. (in russian).