Нейтральні дефекти МПЕ плівок CdHgTe - Fitsych, O. I. (Військово-технічний збірник, 2016)
Проведені електрофізичні і оптичні дослідження дефектної структури плівок CdHgTe, вирощених молекулярно-пучковою епітаксією (МПЕ). Показано, що особливістю даних плівок є наявність нейтральних дефектів, що формуються на стадії росту і властивих матеріалу, вирощеному саме методом МЛЕ. Припускається, що цими нейтральними дефектами є нанокомплекси Тe, які були виявлені за допомогою іонного травлення. При іонному травленні вони активуються міжвузловою ртуттю і формують донорні центри з концентрацією 1017 см-3, що дає можливість виявляти ці дефекти за допомогою вимірювань електричних параметрів матеріалу. При легуванні CdHgTe миш’яком з високотемпературним крекінгом присутній в потоці миш’яку димер As2 блокує нанокомплекс Те з формуванням донорних комплексів As2Te3. Результати електрофізичних досліджень порівнюються з даними досліджень мікрораманівської спектроскопії.