Довготривала релаксація CdHgTe n+-n–структур, сформованих іонним травленням - Fitsych, O. I. (Військово-технічний збірник, 2015)
Проведені експериментальні дослідження довготривалої (більше 7 років) часової релаксації за кімнатних умов електричних параметрів (концентрація та рухливість) n+-n структур CdHgTe, сформованих іонним травленням. Показано, що параметри зразків після короткотривалої релаксації (порядку 200000 хв.), в межах точності експерименту зберігаються протягом довготривалої (більше 7 років) витримки. Таким чином, метод іонного травлення може бути використаний для формування р-n переходів фотодіодів на базі CdHgTe.