Довготривала релаксація CdHgTe n+-n–структур, сформованих іонним травленням

O. I. Fitsych

doi:10.33577/2312-4458.12.2015.83-86

Автор(и)

O. I. Fitsych Академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, Львів, кандидат фізико-математичних наук, професор кафедри електромеханіки та електроніки, Україна

DOI:

https://doi.org/10.33577/2312-4458.12.2015.83-86

Ключові слова:

CdxHg1-xTe, гетероструктури, іонне травлення, релаксація, концентрація та рухливість носіїв заряду

Анотація

Проведені експериментальні дослідження довготривалої (більше 7 років) часової релаксації за кімнатних умов електричних параметрів (концентрація та рухливість) n⁺-n структур CdHgTe, сформованих іонним травленням. Показано, що параметри зразків після короткотривалої релаксації (порядку 200000 хв.), в межах точності експерименту зберігаються протягом довготривалої (більше 7 років) витримки. Таким чином, метод іонного травлення може бути використаний для формування р-n переходів фотодіодів на базі CdHgTe.

Посилання

Rogalski A. Infrared Detectors. Second Edition / A. Rogalski. – N.Y.: CRS Press, 2011. – 900 p.

Wotherspoon J.T.M.. Methods of manufacturing a detector device / J.T.M. Wotherspoon. – Пат. GB 2095898. – 1981. – 9 р.

Mynbaev K.D. Modification of Hg1–xCdxTe properties by low-energy ions / K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii // Semiconductors. – 2003. – Т. 37, № 10. – С. 1127–1150.

Іжнін І.І. Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинів CdxHg1-xTe при іонному травленні: дис. … докт. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / І.І. Іжнін – Львів, 2007. – 357 с.

Bogoboyashchyy V.V. The nature of compositional dependence of p-n junction depth in ion-milled p-CdxHg1-xTe / V.V.Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev // Semicond. Sci. Technol. – 2006.– Vol. 21, N 2. – P. 116–123.

Berchenko N.N. Defect structure rebuilding by ion beam milling of As and Sb doped p-CdxHg1-xTe / N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov // Phys. Stat. Sol. (b). – 2002. – Vol. 229, N 1. – P. 279–282.

Izhnin I.I. Conductivity type conversion in ion- milled p-Hg1-xCdxTe:As heterostructures grown by molecular beam epitaxy / І.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev, M. Pociask // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 91, N 13. – P. 132106-1–132106-3.

Belas E. Time relaxation of points defects in p- and n-(HgCd)Te after ion beam milling / E. Belas, V.V. Bogoboyashchii, R. Grill, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov // J. Electron. Mater. – 2003. – Vol. 32, N 7. – P. 698–702.

Богобоящий В.В. Релаксація електричних параметрів структур, сформованих іонним травленням у вузькощилинному CdxHg1-xTe / В.В. Богобоящий, І.І. Іжнін, Ф.Ф. Сизов, В.О. Юденков // Доповіді НАН України. – 2004. – № 4. – С. 70–75.

Varavin V.S. HgCdTe Epilayers on GaAs: Growth and Devices / V.S.Varavin, V.V.Vasiliev, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.N.Ovsyuk, Yu.G.Sidorov, A.O.Suslyakov, M.V.Yakushev, A.L.Aseev // Opto-Electronics Review. – 2003. – Vol. 11, № 2. – P. 9–9111.

Богобоящий В.В. О физическом смысле огибающей спектров подвижности / В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин // Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. – 2003. – №. 2.– С. 10–13.

Izhnin I.I. Defect structure of HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on Si sabstrates / I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, M.M. Vakiv, Y.M. Stakhira, O.I. Fitsych, M.V. Yakushev, A.V. Sorochkin, I.V. Sabinina, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, K.D. Mynbaev // Semicond. Sci. Technol.– 2012.– Vol. 27, N 3, 035001 (4pp).