DOI: https://doi.org/10.33577/2312-4458.14.2016.50-53

Аналіз електричних та магнітних властивостей напівпровідникових кристалів типу InSe, легованих металами, з огляду на їх військове застосування

B. O. Seredyuk

Анотація


У статті виконаний аналіз перспектив застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу, як на сильний ковалентний зв'язок всередині шару, так і на слабкий Ван-дер-Ваальсовий зв'язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано вольт-амперну характеристику за змінним струмом кристалу In4Se3 з домішками хрому, міді та германію при різних температурах від кімнатної до температури рідкого азоту. Обґрунтовано вплив домішки металу та її концентрації на електричні та магнітні властивості напівпровідникових кристалів типу InSe.


Ключові слова


магніторезистивий ефект; магнітний сенсор; магнітне поле; детонація боєголовки

Повний текст:

PDF

Посилання


Dalichaouch Y., Czipott, P., Perry A. Magnetic sensors for battlefield applications / Y. Dalichaouch, P. Czipott, A. Perry // Proc. SPIE – 2001. – Vol. 4393. – P. 129–134.

Lenz J., Edelstein A.S. Magnetic Sensors and Their applications / J. Lenz, A.S. Edelstein // IEEE Sens. J. – 2006. – № 6. – P. 631–649.

Bandyopadhyay S., Cahay M. Proposal for a spintronic femto-Tesla magnetic field sensor / S. Bandyopadhyay, M. Cahay // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – 2005. – № 1-2. – P. 98–103.

Phan M.H., Peng H.X. Giant magnetoimpedance materials: Fundamentals and applications / M.H. Phan, H.X. Peng // Progress in Materials Science. – 2008. – Vol. 53. – P. 323–420.

Захарченя Б.П. Интегрируя магнетизм в полу-проводниковую электронику / Б.П. Захарченя // УФН. – 2005. – T. 175, – № 11. – С. 629–675.

Титов А.Н. Фазовые диаграммы интеркалатных материалов с поляронным типом локализации носителей / А.Н. Титов, А.В. Долгошеин // ФТТ, – 2000. – T. 42. – № 3. – C. 425–427.

Шабатура Ю.В. Перспективи військового застосування сенсорів магнітного поля на основі магніторезистивного ефекту в NixInSe / Ю.В. Шабатура, Б.О. Середюк, С.В. Королько, В.Л. Фоменко // Військово-технічний збірник. – 2012. – № 2(7). – С. 80–84.




Copyright (c) 2019 B. O. Seredyuk

ISSN: 2312-4458 © Національна академія сухопутних військ імені гетьмана Петра Сагайдачного, 2009-2019.