Перспективи військового застосування сенсорів магнітного поля на основі магніторезистивного ефекту в NixInSe
DOI:
https://doi.org/10.33577/2312-4458.7.2012.80-84Ключові слова:
магніторезистивний ефект, магнітний сенсор, магнітне поле, детонація боєголовкиАнотація
У статті виконаний аналіз перспектив застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу NixInSe для надточного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури NixInSe для виявлення військової бронетехніки. Проаналізовано поведінку постійної гратки, питомої намагніченості та магнітної сприйнятливості NixInSe для різних значень x. Знайдено концентрацію Ni, яка призводить до різкого зростання магнітної сприйнятливості та, як наслідок, надвисокої чутливості сенсорної структури до змін магнітного поля. Проведена математична обробка експериментальних даних залежностей значення постійної гратки С (перпендикулярно до шарів) NixInSe від концентрації інтеркальованого нікеля та магнітної сприйнятливості монокристалів NixInSe у магнітному полі від вмісту нікелю та отримані аналітичні вирази апроксимуючих функцій.Посилання
Dalichaouch Y., Czipott, P., Perry A. Magnetic sensors for battlefield applications / Y. Dalichaouch, P. Czipott, A. Perry // Proc. SPIE – 2001. – Vol. 4393. – P. 129–134.
Lenz J., Edelstein, A.S. Magnetic Sensors and Their applications. / J. Lenz, A.S. Edelstein // IEEE Sens. J. – 2006. – № 6. – P. 631–649.
Bandyopadhyay S., Cahay M. Proposal for a spintronic femto-Tesla magnetic field sensor / S. Bandyopadhyay, M. Cahay // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – 2005. – № 1-2. – P. 98–103.
Phan M.H., Peng H.X. Giant magnetoimpedance materials: Fundamentals and applications / M.H. Phan, H.X. Peng // Progress in Materials Science. – 2008. – Vol. 53. – P. 323–420.
Захарченя Б.П. Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику / Б.П. Захарченя // УФН. – 2005. – T. 175. – №11. – С. 629–675.
Титов А.Н. Фазовые диаграммы интеркалатных материалов с поляронным типом локализации носителей / А.Н. Титов, А.В. Долгошеин // ФТТ. – 2000. – T.42. – №3. – C. 425–427.
Дацюк Ю.Р., Фоменко В.Л., Фіяла Я. М., Товстюк Н.К. Розробка технології отримання інтеркалатів з почерговими напівпровідниковими і магнітоактивними прошарками / Ю.Р. Дацюк, В.Л. Фоменко, Я.М. Фіяла, Н.К. Товстюк // Науковий вісник КУЕТУ, Нові технології. – 2008. – № 1 (19). – C. 62–65.
Стахира Й.М., Товстюк Н.К., Фоменко В.Л., Григорчак И.И., Борисюк А.К., Середюк Б.А. Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем / Й.М. Стахира, Н.К. Товстюк, В.Л. Фоменко, И.И. Григорчак, А.К. Борисюк, Б.А. Середюк // ФНТ. – 2012. – Т.38. – № 1. – С. 69–75.
Стахира Й.М., Товстюк Н.К., Фоменко В.Л., Цмоць В.М., Щупляк А.Н. Структура и магнитные свойства монокристалов InSe, интеркалированных никелем / Й.М. Стахира, Н.К. Товстюк, В.Л. Фоменко, В.М. Цмоць, А.Н. Щупляк // ФТП. – 2011. – Т.45. – № 10. – С. 1308–1313.